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文献
J-GLOBAL ID：201102298270726991
整理番号：11A1828859
ゾル-ゲル法により作製したAg/n-CdO/p-Si MIS構造の容量-電圧及びコンダクタンス-電圧特性
Capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of Ag/n-CdO/p-Si MIS structure prepared by sol-gel method
KARATAS S.
(Dep. of Physics, Fac. of Sciences and Arts, Univ. of Kahramanmaras Suetcue Imam, 46100 Kahramanmaras, TUR)
,
YAKUPHANOGLU F.
(Physics Dep., Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR)
,
AMANULLAH F.m.
(Dep. of Physics and Astronomy, Coll. of Sci., King Saud Univ., Riyadh, SAU)
資料名：
Journal of Physics and Chemistry of Solids
(Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 73 号： 1 ページ： 46-51 発行年： 2012年01月
JST資料番号： C0202A ISSN： 0022-3697 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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