文献
J-GLOBAL ID:201102298311037195
整理番号:11A1558174
モンテカルロ法による金属酸化物ベースのメモリにおける双極性抵抗スイッチングの確率論的モデリング
Stochastic modeling of bipolar resistive switching in metal-oxide based memory by Monte Carlo technique
著者 (3件):
MAKAROV Alexander
(Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT)
,
SVERDLOV Viktor
(Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT)
,
SELBERHERR Siegfried
(Vienna Univ. of Technol., Inst. for Microelectronics, Vienna, AUT)
資料名:
Journal of Computational Electronics
(Journal of Computational Electronics)
巻:
9
号:
3-4
ページ:
146-152
発行年:
2010年12月
JST資料番号:
A1072A
ISSN:
1569-8025
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)