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文献
J-GLOBAL ID：201102298315639009
整理番号：11A0563500
二酸化ケイ素及び窒化ケイ素膜を研磨するために用いる添加剤とセリア研磨剤と間の錯体形成
Complexing Between Additives and Ceria Abrasives Used for Polishing Silicon Dioxide and Silicon Nitride Films
WANG Liangyong
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN)
,
WANG Liangyong
(Clarkson Univ., New York, USA)
,
LIU Bo
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN)
,
SONG Zhitang
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN)
,
LIU Weili
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN)
,
FENG Songlin
(Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., CAS, Shanghai, CHN)
,
HUANG David
(Praxair Electronics, Indiana, USA)
,
BABU S. V.
(Clarkson Univ., New York, USA)
資料名：
Electrochemical and Solid-State Letters
(Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 14 号： 3 ページ： H128-H131 発行年： 2011年
JST資料番号： W1290A ISSN： 1099-0062 CODEN： ESLEF6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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