文献
J-GLOBAL ID:201102298331002002
整理番号:11A1648281
超低消費電力の純NMOS「能動」負荷論理ゲートを用いたa-IGZO TFTベースRFIDチップの20μW動作
20-μW Operation of an a-IGZO TFT-Based RFID Chip Using Purely NMOS “Active” Load Logic Gates with Ultra-Low-Consumption Power
著者 (5件):
OZAKI H.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAWAMURA T.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
WAKANA H.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAZOE T.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UCHIYAMA H.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2011
ページ:
54-55
発行年:
2011年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)