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文献
J-GLOBAL ID：201102299202308940
整理番号：11A0571793
背面暴露を使ってガラス基板上に自己-整列した金属二重ゲート低温多結晶Si TFT
Self-Aligned Metal Double-Gate Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on Glass Substrate Using Back-Surface Exposure
HARA Akito
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
,
SATO Tadashi
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
,
KONDO Kenji
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
,
HIROSE Kenta
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
KITAHARA Kuninori
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 2 ページ： 021401.1-021401.4 発行年： 2011年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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