文献
J-GLOBAL ID:201102299462257690
整理番号:11A0696964
非ドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造使用の利点:量子細線におけるゼロバイアス異常の事例研究
Benefits of using undoped GaAs/AlGaAs heterostructures: A case study of the zero-bias bias anomaly in quantum wires
著者 (7件):
SFIGAKIS F.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
DAS GUPTA K.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
SARKOZY S.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
FARRER I.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
RITCHIE D.A.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
PEPPER M.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
,
JONES G.A.C.
(Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
42
号:
4
ページ:
1200-1204
発行年:
2010年02月
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)