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J-GLOBAL ID：201202124028318985 整理番号：12A1375338

Beをドープした低温MBE成長GaAs膜及びGaAs/AlAs MQWにおける吸収飽和の過渡特性

著者 (5件)：

佐久間康

(千葉大工)

伊東雅史

(千葉大工)

岡本紘

(千葉大工)

奥野剛史

(筑波大物理学系)

舛本泰章

(筑波大物理学系)

資料名：

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻： 47th 号： 3 ページ： 1343 発行年： 2000年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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