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文献
J-GLOBAL ID:201202164373918806   整理番号:12A1375274

(411)A InP基板上にMBE成長したSi変調ドープIn0.7Ga0.3As/InxAl1-xAs歪量子井戸(5)~InAlAs障壁層のIn組成依存性~

著者 (6件):
前田宗彦
(大阪大 院)
渡邊一世
(大阪大 院)
青木豊広
(大阪大 院)
北田貴弘
(大阪大 院)
下村哲
(大阪大 院)
冷水佐壽
(大阪大 院)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 47th  号:ページ: 1321  発行年: 2000年03月28日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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