文献
J-GLOBAL ID:201202200063241551
整理番号:12A0655832
ボトムゲートIGZO系TFTの作製用の2マスクプロセス
A Two-Mask Process for Fabrication of Bottom-Gate IGZO-Based TFTs
著者 (4件):
UHM Hyun-Seok
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
LEE Sang-Hyuk
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
KIM Won
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
PARK Jin-Seok
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
4
ページ:
543-545
発行年:
2012年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)