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文献
J-GLOBAL ID：201202200511410416
整理番号：12A0594479
0.13μmSiGe BiCMOSを使った利得増強132~160GHz低雑音増幅器
Gain-enhanced 132-160GHz low-noise amplifier using 0.13μm SiGe BiCMOS
ZHANG Bo
(Xi’an Univ. Posts and Telecommunications, Xi’an, CHN)
,
XIONG Yong-Zhong
(Microarray Technol., Chengdu, CHN)
,
WANG Lei
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
,
HU Sangming
(Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
,
LI Le-Wei
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 48 号： 5 ページ： 257-259 発行年： 2012年03月01日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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