文献
J-GLOBAL ID:201202200871156383
整理番号:12A0963601
InNとIn1-xGaxN:Hall移動度の計算および合金不規則性と転位散乱の影響
InN and ln1-X Ga X N: calculation of hall mobilities and effects of alloy disorder and dislocation scatterings
著者 (3件):
AYDOGU Senem
(Dumlupinar Univ., Physics Dep., Kutahya, TUR)
,
AKARSU Mustafa
(Eskisehir Osmangazi Univ., Physics Dep., Eskisehir, TUR)
,
OZBAS Omer
(Eskisehir Osmangazi Univ., Physics Dep., Eskisehir, TUR)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
15
号:
4
ページ:
347-352
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)