文献
J-GLOBAL ID:201202201093342340
整理番号:12A0895380
AlInN/GaNから成るヘテロ構造における光励起キャリアのダイナミクス
Photoexcited carrier dynamics in AlInN/GaN heterostructures
著者 (7件):
LIUOLIA V.
(KTH Royal Inst. of Technol., School of Information and Communication Technol., Electrum 229, 16440 Kista, SWE)
,
MARCINKEVICIUS S.
(KTH Royal Inst. of Technol., School of Information and Communication Technol., Electrum 229, 16440 Kista, SWE)
,
BILLINGSLEY D.
(Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA)
,
SHATALOV M.
(Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA)
,
YANG J.
(Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA)
,
GASKA R.
(Sensor Electronic Technol., Inc., 1195 Atlas Rd., Columbia, South Carolina 29209, USA)
,
SHUR M. S.
(Dep. of Electrical, Computer, and Systems Engineering, and Center of Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
24
ページ:
242104-242104-4
発行年:
2012年06月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)