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文献
J-GLOBAL ID：201202201383317161
整理番号：12A1367540
HDVIP素子用MBE HgCdTe:米国のHgCdTe FPA産業における水平統合
MBE HgCdTe for HDVIP Devices: Horizontal Integration in the US HgCdTe FPA Industry
AQARIDEN F.
(EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
,
ELSWORTH J.
(EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
,
ZHAO J.
(EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
,
GREIN C.H.
(EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
,
SIVANANTHAN S.
(EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 41 号： 10 ページ： 2700-2706 発行年： 2012年10月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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