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文献
J-GLOBAL ID：201202201420824788
整理番号：12A1287285
液滴エピタキシーにより作製した高密度のInGaAs/GaAs量子ドット構造における湿潤層形成の成長温度依存性
Growth-Temperature Dependence of Wetting Layer Formation in High Density InGaAs/GaAs Quantum Dot Structures Grown by Droplet Epitaxy
ZUERBIG Verena
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
BUGAEW Natalia
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
REITHMAIER Johann Peter
(Univ. Kassel, Kassel, DEU)
,
KOZUB Michal
(Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL)
,
MUSIAL Anna
(Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL)
,
SEK Grzegorz
(Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL)
,
MISIEWICZ Jan
(Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 8,Issue 1 ページ： 085501.1-085501.4 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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