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文献
J-GLOBAL ID:201202201516177643   整理番号:12A0672185

Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス

Basic Performance of a Logic-IP Compatible eDRAM with Cylinder Capacitors in Low-k/Cu BEOL Layers
著者 (18件):
久米一平
(ルネサスエレクトロニクス)
井上尚也
(ルネサスエレクトロニクス)
肱岡健一郎
(ルネサスエレクトロニクス)
川原潤
(ルネサスエレクトロニクス)
武田晃一
(ルネサスエレクトロニクス)
古武直也
(ルネサスエレクトロニクス)
白井浩樹
(ルネサスエレクトロニクス)
風間賢也
(ルネサスエレクトロニクス)
桑原愼一
(ルネサスエレクトロニクス)
渡曾雅敏
(ルネサスエレクトロニクス)
佐甲隆
(ルネサスエレクトロニクス)
高橋寿史
(ルネサスエレクトロニクス)
小倉卓
(ルネサスエレクトロニクス)
泰地稔二
(ルネサスエレクトロニクス)
笠間佳子
(ルネサスエレクトロニクス)
坂本美里
(ルネサスエレクトロニクス)
羽根正巳
(ルネサスエレクトロニクス)
林喜宏
(ルネサスエレクトロニクス)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 111  号: 463(SDM2011 176-184)  ページ: 7-11  発行年: 2012年02月27日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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