文献
J-GLOBAL ID:201202202968319590
整理番号:12A1212840
ナノスケール構造からのInGaN多重量子井戸発光ダイオードの物理的性質の分析
Analyzing the physical properties of InGaN multiple quantum well light emitting diodes from nano scale structure
著者 (4件):
WU Yuh-renn
(Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...)
,
SHIVARAMAN Ravi
(Materials Departments, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
WANG Kuang-chung
(Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei ...)
,
SPECK James S.
(Materials Departments, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
8
ページ:
083505-083505-4
発行年:
2012年08月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)