文献
J-GLOBAL ID:201202203282037233
整理番号:12A0315883
~100%硝酸蒸気で形成された低漏れ電流密度をもつ超薄SiO2層
Ultrathin SiO2 layer with a low leakage current density formed with ~100% nitric acid vapor
著者 (3件):
KIM Woo-Byoung
(Osaka Univ., CREST, Osaka, JPN)
,
MATSUMOTO Taketoshi
(Osaka Univ., CREST, Osaka, JPN)
,
KOBAYASHI Hikaru
(Osaka Univ., CREST, Osaka, JPN)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
21
号:
11
ページ:
115202.1-115202.7
発行年:
2010年03月19日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)