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文献
J-GLOBAL ID：201202204259542512
整理番号：12A0549365
GaNを用いた金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタにおける閾値電圧計算のための包括的解析モデル
A comprehensive analytical model for threshold voltage calculation in GaN based metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors
TAPAJNA M.
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, SVK)
,
KUZMIK J.
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, SVK)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 11 ページ： 113509-113509-4 発行年： 2012年03月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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