文献
J-GLOBAL ID:201202204300550047
整理番号:12A0025874
高k酸化プラセオジム中間層を用いた新しいGaAsエンハンスメントモード/デプレッションモードpHEMT技術
Novel GaAs enhancement-mode/depletion-mode pHEMTs technology using high-k praseodymium oxide interlayer
著者 (5件):
CHEN Chao-hung
(Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
CHIU Hsien-chin
(Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
YANG Chih-wei
(Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
FU Jeffrey S.
(Dep. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN)
,
CHIEN Feng-tso
(Dep. of Electronics Engineering, Feng Chia Univ., Taichung, Taiwan, TWN)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
1
ページ:
147-150
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)