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J-GLOBAL ID:201202204455482129   整理番号:12A1174769

Pt/n型Si0.85Ge0.15Schottky整流器の温度依存な電流-電圧特性と逆漏れ伝導機構

Temperature-dependent Current-Voltage Characteristics and Reverse Leakage Conduction Mechanism of Pt/n-type Si0.85Ge0.15 Schottky Rectifiers
著者 (6件):
JANARDHANAM V.
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
CHOI Chel-Jong
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
LEE Hoon-Ki
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
KIL Yeon-Ho
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
SHIM Kyu-Hwan
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
AHN Kwang-Soon
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)

資料名:
Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)

巻: 60  号: 10  ページ: 1498-1503  発行年: 2012年05月31日 
JST資料番号: T0357A  ISSN: 0374-4884  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 韓国 (KOR)  言語: 英語 (EN)
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