文献
J-GLOBAL ID:201202204455482129
整理番号:12A1174769
Pt/n型Si0.85Ge0.15Schottky整流器の温度依存な電流-電圧特性と逆漏れ伝導機構
Temperature-dependent Current-Voltage Characteristics and Reverse Leakage Conduction Mechanism of Pt/n-type Si0.85Ge0.15 Schottky Rectifiers
著者 (6件):
JANARDHANAM V.
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
CHOI Chel-Jong
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
LEE Hoon-Ki
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
KIL Yeon-Ho
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
SHIM Kyu-Hwan
(Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
,
AHN Kwang-Soon
(Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
60
号:
10
ページ:
1498-1503
発行年:
2012年05月31日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)