文献
J-GLOBAL ID:201202204495297740
整理番号:12A1306342
レーザ穿孔で作製されたスルーホールを有するGaNベース発光ダイオードの接合温度と光電的性質
Junction temperature and optoelectronic properties of GaN-based light-emitting diodes with through-hole prepared by laser drill
著者 (2件):
WANG Wan-wei
(Dep. of Electro-optical Engineering, National Taipei Univ. of Technol., 1, sec. 3, Chung-Hsiao E. Rd., Taipei 106 ...)
,
CHEN Lung-chien
(Dep. of Electro-optical Engineering, National Taipei Univ. of Technol., 1, sec. 3, Chung-Hsiao E. Rd., Taipei 106 ...)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻:
30
号:
3
ページ:
031213-031213-3
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
2166-2746
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)