文献
J-GLOBAL ID:201202204501385389
整理番号:12A0855125
InGaAs二重量子ドットナノ構造におけるドット間電子トンネリングの電気的制御
Electrical Control of Interdot Electron Tunneling in a Double InGaAs Quantum-Dot Nanostructure
著者 (12件):
MUELLER K.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
BECHTOLD A.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
RUPPERT C.
(TU Dortmund, Dortmund, DEU)
,
ZECHERLE M.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
REITHMAIER G.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
BICHLER M.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
KRENNER H.J.
(Univ. Augsburg, Augsburg, DEU)
,
ABSTREITER G.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
HOLLEITNER A.W.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
VILLAS-BOAS J.M.
(Universidade Federal de Uberlandia, MG, BRA)
,
BETZ M.
(TU Dortmund, Dortmund, DEU)
,
FINLEY J.J.
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
108
号:
19
ページ:
197402.1-197402.5
発行年:
2012年05月11日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)