文献
J-GLOBAL ID:201202204578833090
整理番号:12A1485734
LDMOSにおける1/f雑音に及ぼすドリフト領域の影響
Influence of Drift region on the 1/f noise in LDMOS
著者 (5件):
DIKSHIT A. A.
(IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND)
,
SUBRAMANIAN V.
(IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND)
,
PANDHARPURE S. J.
(IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND)
,
SIROHI S.
(IBM India Pvt. Ltd, Bangalore, IND)
,
LETAVIC T. J.
(IBM Microelectronics Div., NY, USA)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
24th
ページ:
315-318
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)