文献
J-GLOBAL ID:201202204825277570
整理番号:12A0807796
熱感度電気パラメータによる電力半導体デバイスの温度測定--レビュー
Temperature Measurement of Power Semiconductor Devices by Thermo-Sensitive Electrical Parameters-A Review
著者 (3件):
AVENAS Yvan
(Univ. Grenoble, Saint Martin d’Heres, FRA)
,
DUPONT Laurent
(French Inst. Sci. and Technol. Transport, Dev. and Networks, Versailles, FRA)
,
KHATIR Zoubir
(French Inst. Sci. and Technol. Transport, Dev. and Networks, Versailles, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
27
号:
5-6
ページ:
3081-3092
発行年:
2012年05月
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)