文献
J-GLOBAL ID:201202205019911371
整理番号:12A0238108
ZnS-SiO2を固体電解質として使用した電気化学メタライゼーション抵抗変化型メモリデバイス
Electrochemical Metallization Resistive Memory Devices Using ZnS-SiO2 as a Solid Electrolyte
著者 (5件):
HUANG J. Q.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
SHI L. P.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
YEO E. G.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
YI K. J.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
,
ZHAO R.
(Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
1
ページ:
98-100
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)