文献
J-GLOBAL ID:201202205071913170
整理番号:12A1173158
FinFETデバイス,6TSRAMセル,および論理回路についての単一トラップ誘起ランダム電信雑音の解析
Analysis of Single-Trap-Induced Random Telegraph Noise on FinFET Devices, 6T SRAM Cell, and Logic Circuits
著者 (5件):
FAN Ming-Long
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
HU Vita Pi-Ho
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Yin-Nien
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SU Pin
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHUANG Ching-Te
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
8
ページ:
2227-2234
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)