文献
J-GLOBAL ID:201202205093338527
整理番号:12A0057444
分子線エピタキシーによってGaAs上に成長したInAsSb系XBnnバリオード
InAsSb-based XB n n bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs
著者 (12件):
WEISS Eliezer
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
KLIN Olga
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
GROSSMANN Steve
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
SNAPI Noam
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
LUKOMSKY Inna
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
ARONOV Daniel
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
YASSEN Michael
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
BERKOWICZ Eyal
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
GLOZMAN Alex
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
KLIPSTEIN Philip
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
FRAENKEL Avraham
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
,
SHTRICHMAN Itay
(SCD - Semi-Conductor Devices, P.O. Box 2250/99, Haifa 31021, ISR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
339
号:
1
ページ:
31-35
発行年:
2012年01月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)