文献
J-GLOBAL ID:201202205287381075
整理番号:12A0431108
電源装置用の4H-SiCの成長およびプロセスにおける欠陥制御
Defect Control in Growth and Processing of 4H-SiC for Power Device Applications
著者 (6件):
KIMOTO T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FENG G.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HIYOSHI T.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KAWAHARA K.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NOBORIO M.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA J.
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
645/648
号:
Pt.2
ページ:
645-650
発行年:
2010年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)