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文献
J-GLOBAL ID：201202205371594190
整理番号：12A0993955
現状におけるグラフェン高周波数エレクトロニクス
State-of-the-Art Graphene High-Frequency Electronics
WU Yanqing
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
JENKINS Keith A.
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
VALDES-GARCIA Alberto
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
FARMER Damon B.
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
ZHU Yu
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
BOL Ageeth A.
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
DIMITRAKOPOULOS Christos
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
ZHU Wenjuan
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
XIA Fengnian
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
AVOURIS Phaedon
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
,
LIN Yu-Ming
(IBM Thomas J. Watson Res. Center, New York, USA)
資料名：
Nano Letters
(Nano Letters)
巻： 12 号： 6 ページ： 3062-3067 発行年： 2012年06月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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