文献
J-GLOBAL ID:201202205426572824
整理番号:12A0850396
分子線エピタキシーによる6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子コヒーレント成長
AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC(0001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
著者 (5件):
KIKUCHI Ryosuke
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OKUMURA Hironori
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KANEKO Mitsuaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
5
ページ:
051002.1-051002.3
発行年:
2012年05月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)