文献
J-GLOBAL ID:201202205452215061
整理番号:12A0385869
数電子領域におけるトップゲートゲルマニウムナノワイヤ量子ドット
Top-gated germanium nanowire quantum dots in a few-electron regime
著者 (4件):
SHIN Sung-kwon
(Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
,
HUANG Shaoyun
(Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
,
FUKATA Naoki
(International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
ISHIBASHI Koji
(Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
7
ページ:
073103
発行年:
2012年02月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)