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文献
J-GLOBAL ID：201202205696051613
整理番号：12A0555081
電子放出Siベース共鳴トンネルダイオード
Electron emission Si-based resonant-tunneling diode
EVTUKH A.
(V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 41 prospekt Nauki, 03028 Kyiv, UKR)
,
LITOVCHENKO V.
(V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 41 prospekt Nauki, 03028 Kyiv, UKR)
,
GONCHARUK N.
(Res. Inst. “Orion,” 03057 Kyiv, UKR)
,
MIMURA H.
(Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30 号： 2 ページ： 022207-022207-8 発行年： 2012年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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