文献
J-GLOBAL ID:201202205796015029
整理番号:12A1009969
非晶質カルコゲン化物AgGe1+xAs1-xS3の電気的性質への組成の影響
Influence of the composition on the electrical properties of amorphous chalcogenides AgGe1 + xAs1 - xS3
著者 (5件):
KHEIFETS O. L.
(Ural Federal Univ., ul. Mira 19, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
SHAKIROV E. F.
(Ural Federal Univ., ul. Mira 19, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
MELNIKOVA N. V.
(Ural Federal Univ., ul. Mira 19, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
FILIPPOV A. L.
(Ural Federal Univ., ul. Mira 19, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
NUGAEVA L. L.
(Ural Federal Univ., ul. Mira 19, 620000, Yekaterinburg, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
7
ページ:
943-947
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)