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文献
J-GLOBAL ID：201202205949921768
整理番号：12A0582009
迅速過酸化水素溶液処理によるZnOナノ細線電界効果トランジスターの特性評価
Characterization of ZnO Nanowire Field Effect Transistors by Fast Hydrogen Peroxide Solution Treatment
KWON Taehyeon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK Woojin
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
CHOE Minhyeok
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
YOON Jongwon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK Sangsu
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LEE Sangchul
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
HWANG Hyunsang
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LEE Takhee
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 3,Issue 1 ページ： 035001.1-035001.5 発行年： 2012年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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