文献
J-GLOBAL ID:201202205949921768
整理番号:12A0582009
迅速過酸化水素溶液処理によるZnOナノ細線電界効果トランジスターの特性評価
Characterization of ZnO Nanowire Field Effect Transistors by Fast Hydrogen Peroxide Solution Treatment
著者 (8件):
KWON Taehyeon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK Woojin
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
CHOE Minhyeok
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
YOON Jongwon
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
PARK Sangsu
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LEE Sangchul
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
HWANG Hyunsang
(Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
,
LEE Takhee
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
3,Issue 1
ページ:
035001.1-035001.5
発行年:
2012年03月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)