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文献
J-GLOBAL ID：201202206120880416
整理番号：12A0807852
アンドープ半導体基板上の放射線検出用グラフェン電界効果トランジスタ
Graphene Field-Effect Transistors on Undoped Semiconductor Substrates for Radiation Detection
FOXE Michael
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
,
LOPEZ Gabriel
(Purdue Univ., IN, USA)
,
LOPEZ Gabriel
(Sandia National Lab., CA, USA)
,
CHILDRES Isaac
(Purdue Univ., IN, USA)
,
JALILIAN Romaneh
(Purdue Univ., IN, USA)
,
JALILIAN Romaneh
(NaugaNeedles, KY, USA)
,
PATIL Amol
(Purdue Univ., IN, USA)
,
ROECKER Caleb
(Purdue Univ., IN, USA)
,
BOGUSKI John
(Purdue Univ., IN, USA)
,
JOVANOVIC Igor
(Pennsylvania State Univ., PA, USA)
,
CHEN Yong P.
(Purdue Univ., IN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 11 号： 3 ページ： 581-587 発行年： 2012年05月
JST資料番号： W1355A ISSN： 1536-125X CODEN： ITNECU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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