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文献
J-GLOBAL ID：201202206330644669
整理番号：12A0067916
非化学量論的GaAsBi/GaAs(100)分子線エピタキシー成長
Non-stoichiometric GaAsBi/GaAs (100) molecular beam epitaxy growth
BASTIMAN F.
(The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR)
,
MOHMAD A.r.b.
(The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR)
,
MOHMAD A.r.b.
(Inst. of Microengineering and Nanoelectronics, National Univ. of Malaysia, 43000 Bangi, Selangor, Malaysia)
,
NG J.s.
(The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR)
,
DAVID J.p.r
(The Univ. of Sheffield, Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Mappin Street, S1 3JD, GBR)
,
SWEENEY S.j.
(Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 338 号： 1 ページ： 57-61 発行年： 2012年01月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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