文献
J-GLOBAL ID:201202206343475726
整理番号:12A1074172
Sバンドにおける第2高調波での広帯域内部整合によるPAE>70%のパッケージ型GaN HEMT
Over 70% PAE packaged GaN HEMT through wideband internal matching at second harmonic in S-band
著者 (7件):
CHERON J.
(Univ. Limoges, Limoges, FRA)
,
CAMPOVECCHIO M.
(Univ. Limoges, Limoges, FRA)
,
BARATAUD D.
(Univ. Limoges, Limoges, FRA)
,
REVEYRAND T.
(Univ. Limoges, Limoges, FRA)
,
STANISLAWIAK M.
(Thales Air System, Boos, FRA)
,
EUDELINE P.
(Thales Air System, Boos, FRA)
,
FLORIOT D.
(United Monolithic Semiconductors, Villebon sur Yvette, FRA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
48
号:
13
ページ:
770-772
発行年:
2012年06月21日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)