文献
J-GLOBAL ID:201202206419393007
整理番号:12A1710139
H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析
Electronic properties of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H2O generated by a catalytic reaction-Analysis using a two layer model-
著者 (6件):
永冨瑛智
(長岡技科大)
,
山口直也
(長岡技科大)
,
竹内智彦
(長岡技科大)
,
里本宗一
(長岡技科大)
,
加藤孝弘
(長岡技科大)
,
安井寛治
(長岡技科大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
112
号:
265(CPM2012 93-111)
ページ:
1-5
発行年:
2012年10月19日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)