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文献
J-GLOBAL ID：201202206547574839
整理番号：12A1717242
ウェハレベルで集積化された受動素子技術を使った直流消費電力10mWの5.2GHzで2.1dBの雑音指数のCMOS低雑音増幅器
2.1 dB noise figure 5.2 GHz CMOS low noise amplifier using wafer-level integrated passive device technology with a DC power consumption of 10 mW
LIN K.-C.
(National Central Univ., Jhongli City, TWN)
,
CHIOU H.-K.
(National Central Univ., Jhongli City, TWN)
,
CHANG D.-C.
(National Applied Res. Lab., Hsinchu, TWN)
,
JUANG Y.-Z.
(National Applied Res. Lab., Hsinchu, TWN)
資料名：
IET Microwaves, Antennas & Propagation
(IET Microwaves, Antennas & Propagation)
巻： 6 号： 11 ページ： 1286-1290 発行年： 2012年08月21日
JST資料番号： C0988C ISSN： 1751-8725 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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