文献
J-GLOBAL ID:201202206632982750
整理番号:12A0625149
III-V半導体表面の湿式化学的機能化: ヒ化ガリウムおよび窒化ガリウムのGrignard反応系列によるアルキル化
Wet Chemical Functionalization of III-V Semiconductor Surfaces: Alkylation of Gallium Arsenide and Gallium Nitride by a Grignard Reaction Sequence
著者 (4件):
PECZONCZYK Sabrina L.
(Univ. Michigan, Michigan, USA)
,
MUKHERJEE Jhindan
(Univ. Michigan, Michigan, USA)
,
CARIM Azhar I.
(Univ. Michigan, Michigan, USA)
,
MALDONADO Stephen
(Univ. Michigan, Michigan, USA)
資料名:
Langmuir
(Langmuir)
巻:
28
号:
10
ページ:
4672-4682
発行年:
2012年03月13日
JST資料番号:
A0231B
ISSN:
0743-7463
CODEN:
LANGD5
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)