文献
J-GLOBAL ID:201202206720871291
整理番号:12A0138221
狭いAu/n-GaAs Shottkyダイオードにおける電流輸送とエネルギー構造の形成
Current transport and formation of energy structures in narrow Au/n-GaAs Schottky diodes
著者 (3件):
MAMEDOV R.k.
(Fac. of Physics, Baku State Univ., Academic Zahid Khalilov Str. 23, AZ 1148, Baku, Azerbaijan)
,
YEGANEH M.a.
(Fac. of Physics, Baku State Univ., Academic Zahid Khalilov Str. 23, AZ 1148, Baku, Azerbaijan)
,
YEGANEH M.a.
(Material Res. School, P.O.B. 654312-154, IRN)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
52
号:
2
ページ:
418-424
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)