文献
J-GLOBAL ID:201202206901455532
整理番号:12A0555295
改良フローコーティング法により作製した6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニイル)ペンタセン電界効果トランジスタの異方性電荷輸送と接触抵抗
Anisotropic charge transport and contact resistance of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene field-effect transistors fabricated by a modified flow-coating method
著者 (4件):
SAKAMOTO Kenji
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
UENO Junichi
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
BULGAREVICH Kirill
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
MIKI Kazushi
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
12
ページ:
123301-123301-4
発行年:
2012年03月19日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)