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文献
J-GLOBAL ID：201202206901455532
整理番号：12A0555295
改良フローコーティング法により作製した6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニイル)ペンタセン電界効果トランジスタの異方性電荷輸送と接触抵抗
Anisotropic charge transport and contact resistance of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene field-effect transistors fabricated by a modified flow-coating method
SAKAMOTO Kenji
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
UENO Junichi
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
BULGAREVICH Kirill
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
MIKI Kazushi
(National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 12 ページ： 123301-123301-4 発行年： 2012年03月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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