文献
J-GLOBAL ID:201202207030839103
整理番号:12A0153020
(110)Si基板上(111)3C-SiCのCVD成長における双晶形成の抑制
Suppression of the Twin Formation in CVD Growth of (111) 3C-SiC on (110) Si Substrate
著者 (6件):
NISHIGUCHI T.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA M.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NISHIO K.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
ISSHIKI T.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
OHSHIMA S.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
,
NISHINO S.
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
483/485
ページ:
483-485
発行年:
2005年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)