文献
J-GLOBAL ID:201202207785586680
整理番号:12A1429718
DRAMとフラッシュメモリ技術の10nmとそれ以降への拡長
Extending the DRAM and FLASH memory technologies to 10nm and beyond
著者 (6件):
KIM Kinam
(Samsung Electronics Co, KOR)
,
CHUNG U-In
(Samsung Electronics Co, KOR)
,
PARK Youngwoo
(Samsung Electronics Co, KOR)
,
LEE Jooyoung
(Samsung Electronics Co, KOR)
,
YEO Jeongho
(Samsung Electronics Co, KOR)
,
KIM Dongchan
(Samsung Electronics Co, KOR)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8326
号:
Pt.1
ページ:
832605.1-832605.11
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)