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文献
J-GLOBAL ID：201202207900305886
整理番号：12A0738973
圧電場誘起エレクトロトランスポートに起因するc面InxGa1-xNからのTHz波放射の増強
Enhanced THz emission from c-plane InxGa1-xN due to piezoelectric field-induced electron transport
WOODWARD Nathaniel
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
,
GALLINAT C.
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
,
RODAK L. E.
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
,
METCALFE G. D.
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
,
SHEN H.
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
,
WRABACK M.
(U.S. Army Res. Lab., Sensors and Electron Devices Directorate, RDRL-SEE-M, 2800 Powder Mill Road, Adelphi, Maryland ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 19 ページ： 191110-191110-4 発行年： 2012年05月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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