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文献
J-GLOBAL ID：201202208254239841
整理番号：12A0612045
改良MOCVD法により蒸着されたBi2Te3膜の成長と熱電特性
Growth and thermoelectric properties of Bi2Te3 films deposited by modified MOCVD
YOU Hyunwoo
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
,
YOU Hyunwoo
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR)
,
HYUB BAEK Seung
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR)
,
KIM Kwang-chon
(School of Electrical and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
,
KWON O-jong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
,
KIM Jin-sang
(Electronic Materials Center, Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR)
,
PARK Chan
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
,
PARK Chan
(Res. Inst. of Advanced Materials (RIAM), Seoul National Univ., Seoul 151-744, KOR)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 346 号： 1 ページ： 17-21 発行年： 2012年05月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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