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文献
J-GLOBAL ID：201202208316941467
整理番号：12A0706152
取り出し強化横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:横方向2重拡散金属酸化物半導体電界効果トランジスタより優れた超高速横方向絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Extraction Enhanced Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor: A Super High Speed Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor Superior to Lateral Dobule Difused Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
ASHIDA Youichi
(DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
TAKAHASHI Shigeki
(DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
SHIRAKI Satoshi
(DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
TOKURA Norihito
(DENSO Co., Ltd., Aichi, JPN)
,
NAKAGAWA Akio
(Nakagawa Consulting Office, Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 4,Issue 2 ページ： 04DP02.1-04DP02.5 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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