文献
J-GLOBAL ID:201202208330772775
整理番号:12A0675951
λ=5.8μmでの長波長カットオフのあるInAsSb(P)に基づく無冷却フォトダイオード
Uncooled photodiodes based on InAsSb(P) with long-wavelength cut-off at λ = 5.8 μm
著者 (5件):
IL’INSKAYA N. D.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KARANDASHEV S. A.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
MATVEEV B. A.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
REMENNYI M. A.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
STUS’ N. M.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名:
Technical Physics Letters
(Technical Physics Letters)
巻:
38
号:
3
ページ:
242-244
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
H0665A
ISSN:
1063-7850
CODEN:
TPLEED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)