文献
J-GLOBAL ID:201202208348855562
整理番号:12A1367513
(100)および(211)のB GaSb上の格子整合ZnTeSe合金の成長
Growth of Lattice-Matched ZnTeSe Alloys on (100)and (211)B GaSb
著者 (5件):
CHAI J.
(Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
,
LEE K.-K.
(Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
,
DOYLE K.
(Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
,
DINAN J.H.
(Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
,
MYERS T.H.
(Texas State University-San Marcos, Material Sci., Engineering, and Commercialization Program, 78666, San Marcos, TX, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
41
号:
10
ページ:
2738-2744
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)