文献
J-GLOBAL ID:201202208364168834
整理番号:12A1510448
AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける表面ポテンシャルと固有電荷の解析モデリング
Analytical Modeling of Surface-Potential and Intrinsic Charges in AlGaN/GaN HEMT Devices
著者 (3件):
KHANDELWAL Sourabh
(Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR)
,
CHAUHAN Yogesh Singh
(Univ. California, CA, USA)
,
FJELDLY Tor A.
(Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
10
ページ:
2856-2860
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)